MOS-Schottky 晶片產品
Planar MOS-Controlled Diode Wafer ( PMCD )
44 / 58 / 72 / 87 / 100 / 110 / 118 / 134mil , 45-60V , 200V / 300V
Trench Schottky Barrier Diode Wafer ( TSBD )
40 / 58 / 67 / 72 / 75 / 82 / 94 / 112 / 120 / 130 / 150mil , 30-150V , 200V Super Schottky
PMCD結構與技術優勢
- PMCD可以用增加巢室結構的密度(Cell Density)來克服傳統MBR Vf 及 Ir 互換(trade-off)的問題。
- 使用CMOS技術,而不是蕭特基金屬能障方式,使得Ir 的大小可以透過調整能障(Barrier Height)高低,達成應用的要求。
- 高溫特性極佳
TSBD結構與技術優勢
傳統Planar蕭特基表面金屬層存在游離電子，影響漏電流和反向恢復時間。
TSBD的設計把電場強度從表面移到溝槽(Trench)深度，可以避免矽表面雜質在高壓高熱下產生游離狀態，影響蕭特基的耐壓和漏電，同時矽的內散熱比較均勻，更有利於溫度的擴散作用。
TSBD的好處是不帶電場的表面，比傳統蕭特基二極體更耐壓，V(f)值非常低，可用在大電流及高壓的設計，並提高開關速度。
TSBD的設計把電場強度從表面移到溝槽(Trench)深度，可以避免矽表面雜質在高壓高熱下產生游離狀態，影響蕭特基的耐壓和漏電，同時矽的內散熱比較均勻，更有利於溫度的擴散作用。
TSBD的好處是不帶電場的表面，比傳統蕭特基二極體更耐壓，V(f)值非常低，可用在大電流及高壓的設計，並提高開關速度。
MOS-Schottky 產品應用
用途
產品描述
封裝型式
用途
充電器
產品描述
58/72mil 45V
封裝型式
SMAF
用途
充電器
產品描述
87/100/110mil 45V/50V
封裝型式
TO277
用途
充電器
產品描述
87/100/110mil 45V/50V
封裝型式
DO201AD
用途
快充
產品描述
110/112mil 60V
封裝型式
TO277
用途
快充
產品描述
58/82/94/102/120mil 100V
封裝型式
277/220/SMA
用途
SMPS
產品描述
58/87/100/110mil 45V
封裝型式
TO220
用途
SMPS
產品描述
58/87/100/110mil 60V
封裝型式
TO220
用途
TV Power
產品描述
58/82/94mil 100V
封裝型式
TO220
用途
Solar
產品描述
112/130mil 50V
封裝型式
R6
2016已正式推出 200/300V MOS Schottky 芯片
手機平板電腦充電器
TO-277
DFN
SMA-B-C-Series
太陽能 Junction Box
DO201AD
TO263/252/220
R6
電源供應器
Axial Lead Series
TO Series
SMA-B-C-Series
智能電視電源
DO201AD
TO220AB
ITO220AB
網路及固網通訊設備電源
TO247
TO220AB